收藏本站
New Product
Si7994DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
60
10
50
V GS = 10 thr u 4 V
8
40
6
T C = 125 °C
30
20
V GS = 3 V
4
T C = 25 °C
10
0
2
0
T C = - 55 °C
0.0
0.4
0. 8
1.2
1.6
2.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.007
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
5000
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.006
4000
C iss
V GS = 4.5 V
3000
0.005
V GS = 10 V
2000
0.004
1000
C oss
0.003
0
C rss
0
10
20
30
40
50
60
0
5
10
15
20
25
30
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
I D = 20 A
8
V DS = 15 V
1.6
1.4
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = 20 A
V GS = 10 V
6
4
2
0
V DS = 24 V
1.2
1.0
0. 8
0.6
0
10
20
30
40
50
60
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Document Number: 69974
S-80895-Rev. B, 21-Apr-08
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI7997DP-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
SI7998DP-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK 8SOIC
SI8405DB-T1-E3 MOSFET P-CH 12V 3.6A 2X2 4-MFP
SI8417DB-T2-E1 MOSFET P-CH 12V 14.5A 2X2 6MFP
SI8439DB-T1-E1 MOSFET P-CH 8V D-S MICROFOOT
SI8441DB-T2-E1 MOSFET P-CH 20V 10.5A 2X2 6MFP
SI8447DB-T2-E1 MOSFET P-CH D-S 20V MICROFOOT
SI8461DB-T2-E1 MOSFET P-CH D-S 20V MICROFOOT
相关代理商/技术参数
SI7997DP 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 30 V (D-S) MOSFET
SI7997DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET -30V 5.5mOhm@10V 60A P-Ch G-III RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7998DP 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI7998DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 25/30A 93/53mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI79XX 制造商:SECOS 制造商全称:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:3-Terminal Negative Voltage Regulator
SI79XXA 制造商:SECOS 制造商全称:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:3-Terminal Negative Voltage Regulator
SI-7TNL2.140G-T 制造商:HITACHIMETAL 功能描述:
SI-80000Z 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SI-80000Z